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EMF9T2R

更新时间: 2024-11-09 21:20:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EMT6, 6 PIN

EMF9T2R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):0.5 A配置:SINGLE WITH BUILT IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE
最小直流电流增益 (hFE):270最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.1 A最大漏源导通电阻:8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

EMF9T2R 数据手册

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EMF9  
Transistors  
Power management (dual transistors)  
EMF9  
2SC5585 and 2SK3019 are housed independently in a EMT6 package.  
zApplication  
Power management circuit  
zDimensions (Units : mm)  
zFeatures  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1) Power switching circuit in a single package.  
2) Mounting cost and area can be cut in half.  
1.2  
1.6  
zStructure  
Silicon epitaxial planar transistor  
ROHM : EMT6  
Each lead has  
same dimensions  
Abbreviated symbol : F9  
zEquivalent circuits  
(3)  
(2) (1)  
Tr1  
Tr2  
(4)  
(5)  
(6)  
zPackaging specifications  
Type  
Package  
EMF9  
EMT6  
F9  
Marking  
T2R  
Code  
8000  
Basic ordering unit (pieces)  
Rev.A  
1/5  

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