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EMB9

更新时间： 2024-02-11 22:21:36

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体数字晶体管
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1页	333K
描述
dual digital transistors (PNP + PNP)

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EMB9 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

EMB9 数据手册

EMB9

dual digital transistors (PNP+PNP)

FEATURES

SOT-563

Two DTA114Y chips in a package

Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines

Transistor elements are independent,eliminating interference

Mouting cost and area be cut in half

Marking: B9

Equivalent circuit

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

Symbol

V_CC

I_C(MAX)

V_i

Parameter

Supply Voltage

Value

-50

Units

Output Current

-100

Input Voltage

-40 to +6

150

P_D

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

150

℃

T_stg

-55~+150

℃

Electrical Characteristics (T_a=25℃)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

-1.4

Typ

Max

Unit

Input turn-on voltage

Input cut-off voltage

Output voltage

V_i(on)

V_i(off)

V_O(on)

I_i

V_O=-0.3V, I_O=-1mA

_CC=-5V, I_O=-100µA

-0.3

I_O=-5mA, I_i=-0.25 mA

V_i=-5V

Input cut-off current

Output cut-off current

DC current gain

-0.88

-0.5

µA

I_O(off)

G_i

V_CC=-50V, V_i=0

V_O=-5V, I_O=-5mA

V_O=-10V, I_O=5mA, f =100MHz

Transition frequency

Input resistance

f_T

250

MHz

R₁

KΩ

Resistance ratio

R_2/R₁

3.7

5.7

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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