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EMB9T2R

更新时间： 2024-11-18 12:55:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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EMB9T2R 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-107
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

EMB9T2R 数据手册

 浏览型号EMB9T2R的Datasheet PDF文件第2页 
EMB9 / UMB9N / IMB9A  
Transistors  
General purpose  
(dual digital transistors)  
EMB9 / UMB9N / IMB9A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package.  
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3  
automatic mounting machines.  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
EMB9  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : EMT6  
UMB9N  
zStructure  
Epitaxial planar type  
Abbreviated symbol : B9  
PNP silicon transistor (Built-in resistor type)  
1.25  
2.1  
The following characteristics apply to both DTr1 and  
DTr2.  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
zEquivalent circuit  
Abbreviated symbol : B9  
EMB9 / UMB9N  
IMB9A  
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
IMB9A  
R1  
R2  
R1  
R2  
DTr  
1
DTr1  
DTr2  
DTr2  
R
1
=10kΩ  
=47kΩ  
R
1
=10kΩ  
=47kΩ  
R
2
R2  
R
1
R
2
R2  
R
1
(3) (2) (1)  
1.6  
2.8  
(4) (5) (6)  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
−50  
−40  
6
Unit  
V
VCC  
Abbreviated symbol : B9  
Input voltage  
VIN  
V
I
O
−70  
−100  
Output current  
mA  
mW  
I
C (Max.)  
1
2
EMB9, UMB9N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
Pd  
dissipation  
IMB9A  
Junction temperature  
Storage temperature  
˚C  
˚C  
Tj  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
1/2  
12

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EMB9T2R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDA114YH-7 DIODES

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 PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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