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EMB9930G

更新时间： 2024-09-27 17:15:15

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SOP-8

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EMB9930G 数据手册

EMB9930G

2N & 2P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary:

N‐CH

30V

P‐CH

BVDSS

‐30V

40mΩ

5.5A

45mΩ

‐4.5A

DSON (MAX.)

Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

SYMBOL

LIMITS

UNIT

Gate‐Source Voltage

V_GS

N‐CH

±20

5.5

P‐CH

±20

‐4.5

‐3.8

‐18

T_A= 25 °C

Continuous Drain Current

I_D

T_A= 100 °C

4.6

Pulsed Drain Current¹

I_DM

T_A= 25 °C

1.38

0.75

Power Dissipation

P_D

°C

T_A= 100 °C

Operating Junction & Storage Temperature Range

T_j, T_stg

‐55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

THERMAL RESISTANCE

SYMBOL

R_JC

TYPICAL

MAXIMUM

UNIT

Junction‐to‐Case

Junction‐to‐Ambient³

°C / W

R_JA

¹Pulse width limited by maximum junction temperature.

²Duty cycle  1％

³90°C / W when mounted on a 1 in²pad of 2 oz copper.

2012/6/18

p.1

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