是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.86 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | CONFIGURABLE AS 256K X 32 OR 512K X 16 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XZMA-T72 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | ZIP |
封装等效代码: | ZIP72/76,.1,.1 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 14.986 mm | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 1.28 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | ZIG-ZAG | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI8F32259C25MZC | WEDC |
获取价格 |
256Kx32 STATIC RAM CMOS, HIGH SPEED MODULE |
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EDI8F32259C35MMC | WEDC |
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SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PSMA72, |
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EDI8F32259C35MNC | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PSMA72, |
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EDI8F32259C35MZC | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PZIP72, |
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EDI8F32259C-MM | ETC |
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SRAM Modules |
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EDI8F32259C-MN | ETC |
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SRAM Modules |
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EDI8F32259V | WEDC |
获取价格 |
256Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module |
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EDI8F32259V12MMC | WEDC |
获取价格 |
256Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module |
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EDI8F32259V12MNC | WEDC |
获取价格 |
256Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module |
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EDI8F32259V12MZC | WEDC |
获取价格 |
256Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module |
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