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EDI8F32259C35MNC

更新时间: 2024-01-02 19:26:44
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 309K
描述
SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PSMA72,

EDI8F32259C35MNC 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82最长访问时间:35 ns
其他特性:CONFIGURABLE AS 256K X 32 OR 512K X 16I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:72
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:17.272 mm
最大待机电流:0.04 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.28 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLE

EDI8F32259C35MNC 数据手册

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