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EDI8F32259C35MZC

更新时间: 2024-01-17 00:08:32
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 309K
描述
SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PZIP72,

EDI8F32259C35MZC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.86
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PZIP-T72
JESD-609代码:e0内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:32
端子数量:72字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP72/76,.1,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:14.986 mm最大待机电流:0.04 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:1.28 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

EDI8F32259C35MZC 数据手册

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