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EDI8F3232C12MMI

更新时间: 2024-01-25 14:41:30
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 238K
描述
SRAM Module, 32KX32, 12ns, CMOS, PSMA64,

EDI8F3232C12MMI 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:12 ns
其他特性:CONFIGURABLE AS 32K X 32I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N64内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:64字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM64
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.08 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.64 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

EDI8F3232C12MMI 数据手册

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