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EC7320N60

更新时间： 2024-10-03 01:16:03

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飞虹 - E-CMOS		/
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N-Channel Power MOSFET

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EC7320N60 数据手册

EC7320N60

N-Channel Power MOSFET

Features

◆ 600V, 20A, RDS(ON)(Max.) = 0.35Ω @VGS = 10V

◆ Low Crss

◆ Fast Switching

◆ 100 % Avalanche Tested

Applications

 Adapter

 LCD panel Power

 Switching Mode Power Supply

 E-Bike Charger

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain - Source Voltage ^a

Limit

Unit

V_DS

V_GS

600

±30

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous, T_C=25 ℃

Drain Current-Continuous, T_C=100 ℃

Drain Current-Pulsed ^b

Maximum Power Dissipation @ T_J=25 ℃

Single Pulsed Avalanche Energy ^e

Operating and Store Temperature Range

12.6

℃

I_D

I_DM

P_D

E_AS

1433

-55 to 150

T_J, T_STG

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Unit

R_θJ_C

Thermal Resistance, Junction-Case Max.

1.69

℃ /W

R_θJ_A

Thermal Resistance, Junction-Ambient Max.

120

℃ /W

E-CMOS Corp. (www.ecmos.com.tw)

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4G18N-Rev.F001

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