是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM184 |
针数: | 184 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.75 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 |
内存密度: | 9663676416 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128MX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.454 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 7.78 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EBD10RD4ADFA-7B | ELPIDA |
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1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank) | |
EBD10RD4ADFA-7B-E | ELPIDA |
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1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank) | |
EBD10RD4ADFA-E | ELPIDA |
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1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank) | |
EBD11ED8ABFA | ELPIDA |
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1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM | |
EBD11ED8ABFA-7A | ELPIDA |
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1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM | |
EBD11ED8ABFA-7B | ELPIDA |
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1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM | |
EBD11ED8ABFB | ELPIDA |
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1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 | |
EBD11ED8ABFB-6B | ELPIDA |
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1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 | |
EBD11ED8ABFB-7A | ELPIDA |
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1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 | |
EBD11ED8ABFB-7B | ELPIDA |
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1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 |