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EBD10RD4ADFA-7A-E PDF预览

EBD10RD4ADFA-7A-E

更新时间： 2024-02-20 13:24:52
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 203K
描述
1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank)

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EBD10RD4ADFA-7A-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.83访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.75 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N184内存密度：9663676416 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.454 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：7.78 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBD10RD4ADFA-7A-E 数据手册

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EBD10RD4ADFA-E  
Byte No. Function described  
Minimum row active to row active  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
28  
29  
30  
delay (tRRD)  
0
0
1
1
0
0
0
0
30H  
12ns  
-6B  
-7A, -7B  
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
3CH  
48H  
50H  
15ns  
18ns  
20ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-6B  
-7A, -7B  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
-6B  
0
0
1
0
1
0
1
0
2AH  
42ns  
45ns  
1 rank  
1GB  
-7A, -7B  
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
2DH  
01H  
31  
32  
Module rank density  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6B  
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
75H  
90H  
75H  
90H  
45H  
0.75ns*3  
0.9ns*3  
-7A, -7B  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-6B  
33  
0.75ns*3  
0.9ns*3  
-7A, -7B  
Data input setup time before clock  
34  
35  
(tDS)  
-6B  
0.45ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
50H  
45H  
0.5ns*3  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6B  
0.45ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
00H  
0.5ns*3  
36 to 40  
41  
Superset information  
Active command period (tRC)  
-6B  
Future use  
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
3CH  
41H  
60ns*3  
65ns*3  
-7A, -7B  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
-6B  
42  
0
1
0
0
1
0
0
0
48H  
72ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
4BH  
30H  
75ns*3  
12ns*3  
43  
44  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6B  
-7A, -7B  
Data hold skew (tQHS)  
-6B  
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2DH  
32H  
55H  
450ps*3  
500ps*3  
550ps*3  
45  
-7A, -7B  
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
75H  
00H  
00H  
750ps*3  
Future use  
Initial  
46 to 61  
62  
Superset information  
SPD revision  
Checksum for bytes 0 to 62  
-6B  
63  
1
1
0
1
0
0
1
1
D3H  
211  
-7A  
1
1
0
0
1
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
8AH  
B5H  
7FH  
7FH  
FEH  
138  
181  
-7B  
64  
65  
66  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Elpida Memory  
Data Sheet E0607E10 (Ver. 1.0)  
6
1...3456789...19

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与EBD10RD4ADFA-7A-E相关器件

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EBD10RD4ADFA-7B ELPIDA 1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank)

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EBD10RD4ADFA-7B-E ELPIDA 1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank)

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EBD10RD4ADFA-E ELPIDA 1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank)

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EBD11ED8ABFA ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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