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E13001TO-126

更新时间： 2024-11-05 02:55:11

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DAESAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	430K
描述
POWER TRANSISTOR

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E13001TO-126 数据手册

POWER TRANSISTOR E13001

SWITCHING REGULATOR APPLICATION

TO-126

• High speed switching

INCHES

DIM MIN MAX

0.425 0.435 10.80

MILLIMETERS

• Suitable for switching regulator

and motor control

MIN

MAX

11.04

7.74

2.66

0.66

3.30

0.295

0.305

7.50

2.42

0.51

2.93

• Case : TO-126 molded plastic body

0.095 0.105

0.020 0.026

0.115 0.130

0.094 BSC

2.39 BSC

0.050 0.095

0.015 0.025

1.27

0.39

2.41

0.63

0.575 0.655 14.61 16.63

TYP

4.01

0.148 0.158

0.045 0.065

0.025 0.035

0.145 0.155

0.040

3.76

1.15

0.64

3.69

1.02

1.65

0.88

3.93

0.25 (0.010)

NPN SILICON TRANSISTOR

D 2 P L

0.25 (0.010)

FEATURES Tc=25^oC unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

UNIT

Power dissipation

PCM

ICM

1.0

0.2

Collector current

Operating and storage junction temperature range

TJ, TSTG

-55 ^oC to +150 ^oC

^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tc=25^oC unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ICBO

IC=100

IC=1mA , IB=0

IE=100 A , IC=0

A , IE=0

600

400

VCB=600V , IE=0

VCE=400V , IB=0

VEB=7V , IC=0

μA

100

200

100

Collector cut-off current

ICEO

μA

Emitter cut-off current

IEBO

μA

hFE(1)

hFE(2)

VCEsat

VBEsat

VBE

VCE=20V , IC=20mA

VCE=10V , IC=0.25mA

IC=50mA , IB=10mA

IE=100mA

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.5

1.2

1.1

VCE=20V , IC=20mA

f=1MHz

Transition frequency

MHz

Fall time

IC=50mA , IB1=-IB2=5mA ,

VCC=45V

μS

0.3

1.5

Storage time

μS

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