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E13002_TO-126

更新时间： 2024-11-05 10:20:47

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DAESAN		晶体晶体管
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2页	5457K
描述
POWER TRANSISTOR

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E13002_TO-126 数据手册

POWER TRANSISTOR E13002

SWITCHING REGULATOR APPLICATION

TO-126

• High speed switching

INCHES

DIM MIN MAX

0.425 0.435 10.80

MILLIMETERS

• Suitable for switching regulator

and motor control

MIN

MAX

11.04

7.74

2.66

0.66

3.30

0.295

0.305

7.50

2.42

0.51

2.93

• Case : TO-126 molded plastic body

0.095 0.105

0.020 0.026

0.115 0.130

0.094 BSC

2.39 BSC

0.050 0.095

0.015 0.025

1.27

0.39

2.41

0.63

0.575 0.655 14.61 16.63

TYP

4.01

0.148 0.158

0.045 0.065

0.025 0.035

0.145 0.155

0.040

3.76

1.15

0.64

3.69

1.02

1.65

0.88

3.93

0.25 (0.010)

NPN SILICON TRANSISTOR

D 2 P L

0.25 (0.010)

FEATURES Tc=25^oC unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

UNIT

Power dissipation

PCM

ICM

1.2

1.0

Collector current

Operating and storage junction temperature range

TJ, TSTG

-55 ^oC to +150 ^oC

^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tc=25^oC unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ICBO

IC=100

IC=1mA , IB=0

IE=100 A , IC=0

A , IE=0

600

400

VCB=600V , IE=0

VEB=6V , IC=0

μA

100

Emitter cut-off current

IEBO

μA

hFE(1)

VCE=10V , IC=100mA

VCE=10V , IC=200mA

VCE=10V , IC=10mA

IC=200mA , IB=40mA

VCE=10V , IC=100mA

f=1MHz

DC current gain

hFE(2)

hFE(3)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

VCEsat

VBEsat

0.8

1.1

Transition frequency

MHz

Fall time

IC=1A , IB1=-IB2=0.2A ,

VCC=100V

μS

0.5

2.5

Storage time

μS

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