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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD114E-AE3-R | UTC |
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NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD114E-AL3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD114EC | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| DTD114ECA | BL Galaxy Electrical |
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50V,500mA,NPN Bipolar Digital Transistor |
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| DTD114ECHZG | ROHM |
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DTD114ECHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。 |
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| DTD114ECT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| DTD114EF | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 |
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| DTD114EFC1 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 |
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| DTD114EG-AE3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD114EG-AL3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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