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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD114EFC1 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 |
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| DTD114EG-AE3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD114EG-AL3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTD114EK | ROHM |
获取价格 |
Digital transistors (built-in resistors) |
|
| DTD114EK_09 | ROHM |
获取价格 |
500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) |
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| DTD114EK_1 | ROHM |
获取价格 |
500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) |
|
| DTD114EKFRAT146 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| DTD114EKT146 | ROHM |
获取价格 |
NPN 500mA 50V Digital Transistors |
|
| DTD114EKT147 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| DTD114EKT246 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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