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DTD114EC

更新时间: 2024-02-04 15:08:40
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 156K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOLD, SST, 3 PIN

DTD114EC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.66Is Samacsys:N
其他特性:DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):56JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

DTD114EC 数据手册

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