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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTA114TCAT216 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| DTA114TCA-TP | MCC |
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PNP Digital Transistor |
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| DTA114TCA-TP-HF | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN |
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| DTA114TE | CJ |
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Digital transistors (built-in resistors) |
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| DTA114TE | MCC |
获取价格 |
PNP Digital Transistor |
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| DTA114TE | HTSEMI |
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TRANSISTOR(PNP) |
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| DTA114TE | ONSEMI |
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Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = k |
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| DTA114TE | WILLAS |
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PNP Digital Transistor |
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| DTA114TE | TYSEMI |
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Built-In Bias Resistors Enable The Configuration of An Inverter Circuit Without Connecting |
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| DTA114TE | WEITRON |
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Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
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