DTA114TE

更新时间： 2024-11-13 06:54:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	106K
描述
PNP Digital Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DTA114TE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.4
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz

DTA114TE 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

DTA114TE

Micro Commercial Components

Features

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability Classification

Rating 94V-0 and MSL Rating 1

PNP Digital Transistor

xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit

without connecting external input resistors (see equivalent circuit)

xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

isolation to allow negative biasing of the input. They also have the

advantage of almost completely eliminating parasitic effects

xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making

device design easy

SOT-523

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Collector-Base Voltage

1. Base

2. Emitter

Symbol

V_CBO

Value

-50

Unit

3. Collector

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-50

-5

Collector Current-Continuous

-100

Collector Dissipation

P_C

150

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_J

-55~150

T_STG

DIMENSIONS

Electrical Characteristics

INCHES

MAX

Sym

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-50uA, I_E=0)

Min

Typ

Max

Unit

DIM

MIN

1.50

0.75

1.45

MAX

1.70

0.85

1.75

NOTE

.059

.030

.057

.067

.033

.069

V_(BR)CBO

-50

---

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mA, I_B=0)

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-50

-5

---

.020 Nominal

0.50Nominal

0.90

.035

.000

.028

.004

.010

.043

.004

.031

.008

.014

1.10

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-50uA, I_C=0)

---

.000

.70

.100

0.80

.200

.35

Collector Cut-off Current

(V_CB=-50V, I_E=0)

.100

.25

---

-0.5

600

---

Emitter Cut-off Current

(V_EB=-4V, I_C=0)

I_EBO

---

DC Current Gain

(V_CE=-5V, I_C=-1mA)

h_FE

100

250

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-10mA, I_B=-1mA)

V_CE(sat)

R₁

---

-0.3

Input Resistor

K¡

MHz

Transition Frequency

(V_CE=-10V, I_C=-5mA, f=100MHz)

f_T

---

250

---

*Marking: 94

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 3

2009/02/11

12 3

中文翻译

下载PDF

与DTA114TE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DTA114-TE	TSC	获取价格	PNP Digital Transistor
DTA114TE_09	ROHM	获取价格	-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTA114TE_11	MCC	获取价格	PNP Digital Transistor
DTA114TE3	ROHM	获取价格	DTA114TE3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resi
DTA114TE3 (新产品)	ROHM	获取价格	DTA114TE3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resi
DTA114TE3HZG (新产品)	ROHM	获取价格	DTA114TE3HZG是一款车规级高可靠性数字晶体管。
DTA114TEB	ROHM	获取价格	-100mA / -50V Digital transistors
DTA114TEBTL	ROHM	获取价格	暂无描述
DTA114TEFRA	ROHM	获取价格	车载数字晶体管
DTA114TET1	ONSEMI	获取价格	Bias Resistor Transistor

与DTA114TE相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DTA114TE

DTA114TE 技术参数

DTA114TE 数据手册

与DTA114TE相关器件

与DTA114TE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DTA114TE

DTA114TE 技术参数

DTA114TE 数据手册

与DTA114TE相关器件

与DTA114TE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？