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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA114TCA-TP-HF
DTA114TCA-TP-HF PDF预览

DTA114TCA-TP-HF

更新时间： 2024-09-25 13:07:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 192K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTA114TCA-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DTA114TCA-TP-HF 数据手册

 浏览型号DTA114TCA-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
DTA114ECA  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
PNP  
·
·
•
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors  
Digital Transistors  
•
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects.  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
SOT-23  
•
A
D
Absolute maximum ratings @ 25R  
3
Symbol  
VCC  
VIN  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Min  
---  
-40  
Typ  
-50  
---  
Max  
---  
10  
Unit  
V
V
1. IN  
2. GND  
3. OUT  
B
C
1
2
IO  
IC(MAX)  
Pd  
Tj  
-50  
-100  
200  
150  
---  
Output current  
---  
---  
mA  
F
E
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
---  
---  
---  
---  
mW  
?
Tstg  
-55  
150  
?
H
G
J
Electrical Characteristics @ 25R  
K
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
IO(off)  
GI  
R1  
Parameter  
Min  
---  
-3.0  
---  
---  
---  
30  
7.0  
0.8  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
1.0  
Max  
-0.5  
---  
-0.3  
-0.88  
-0.5  
---  
Unit  
V
V
DIMENSIONS  
Input voltage (VCC=-5V, IO=-100IA)  
(VO=-0.3V, IO=-10mA)  
INCHES  
MIN  
MM  
Output voltage (IO/II=-10mA/-0.5mA  
Input current (VI=-5V)  
V
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
mA  
IA  
K=  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
Output current (VCC=-50V, VI=0)  
DC current gain (VO=-5V, IO=-5mA)  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
13  
1.2  
F
R2/R1  
G
H
J
fT  
---  
250  
---  
MHz  
(VCE=-10V, IE=5mA, f=100MHz)  
.085  
.37  
K
MARKING: 14  
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与DTA114TCA-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA114TE CJ

获取价格

 		Digital transistors (built-in resistors)
DTA114TE MCC

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 		PNP Digital Transistor
DTA114TE HTSEMI

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DTA114TE ONSEMI

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 		Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 =  k
DTA114TE WILLAS

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 		PNP Digital Transistor
DTA114TE TYSEMI

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DTA114TE WEITRON

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DTA114TE ROHM

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 		SOT-523

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