是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.12 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 50 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 265 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 250 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DTA114-ECA | TSC |
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PNP Digital Transistor | |
DTA114ECA_08 | BL Galaxy Electrical |
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Digital Transistor | |
DTA114ECA_11 | MCC |
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PNP Digital Transistors | |
DTA114ECAHE3 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn; | |
DTA114ECAHZG | ROHM |
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DTA114ECAHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。 | |
DTA114ECAHZGT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
DTA114ECAQ | YANGJIE |
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SOT-23 | |
DTA114ECAT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SST3, 3 | |
DTA114ECAT117 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO | |
DTA114ECAT216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |