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DTA114EE

更新时间： 2024-11-19 14:57:51

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
15页	2814K
描述
SOT-523

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DTA114EE 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

DTA114EE 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

Digital Transistors (Built-in Resistors)

DTA114EM/DTA114EE/DTA114EUA

DTA114EKA /DTA114ECA/DTA114ESA

·Equivalent Circuit

DIGITAL TRANSISTOR (PNP)

FEATURES



Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit

without connecting external input resistors(see equivalent circuit)

The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

isolation to allow positive biasing of the input.They also have the

advantage of almost completely eliminating parasitic effects



Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy

PIN CONNENCTIONS and MARKING

DTA114EM

SOT-723

DTA114EE

SOT-523

1. IN

2. GND

3. OUT

2. GND

3. OUT

DTA114EUA

SOT-323

DTA114EKA

SOT-23-3L

1. IN

2. GND

3. OUT

2. GND

3. OUT

DTA114ECA

SOT-23

DTA114ESA

TO-92S

1.IN

1. GND

2. OUT

3. IN

2.GND

3.OUT

ꢀ

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4 5 6 7...15

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