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DSEC29-02AS

更新时间： 2024-11-04 22:11:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery

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DSEC29-02AS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.82其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.86 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：140 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：170 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSEC29-02AS 数据手册

 浏览型号DSEC29-02AS的Datasheet PDF文件第2页 
DSEC 29-02A  
DSEC 29-02AS  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with common cathode and soft recovery  
IFAV = 2x15 A  
VRRM = 200 V  
trr = 25 ns  
TO-220 A
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
C (TAB)  
C (TAB)  
A
200  
200  
200  
200  
DSEC 29-02A  
DSEC 29-02AS  
TO-263  
A
A
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• International standard package  
• Planar passivated chips  
• Very short recovery time  
• Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
IFRMS  
IFAVM  
35  
15  
A
A
TC = 150°C; rectangular, d = 0.5  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
140  
0.8  
A
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 2.5 A; L = 180 µH  
mJ  
• Soft recovery behaviour  
• Epoxy meets UL 94V-0  
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.3  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Ptot  
Md  
TC = 25°C  
95  
W
• Antisaturation diode  
• Snubber diode  
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
mounting torque  
0.45...0.55  
4...5  
Nm  
lb.in.  
Weight  
typical  
2 / 4  
g
• Inductive heating  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
Advantages  
IR  
①
②
TVJ = 25°C; VR = VRRM  
TVJ = 150°C; VR = VRRM  
100  
0.5  
µA  
mA  
• Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
• Soft reverse recovery for low  
EMI/RFI  
VF  
IF = 15 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
0.86  
1.06  
V
V
RthJC  
RthCH  
1.6  
K/W  
K/W  
• Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-onlossinthecommutatingswitch  
0.5  
25  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 100 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
IRM  
VR = 100 V; IF = 25 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
3.5  
4.4  
A
Dimensions see Outlines.pdf  
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
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DSEC29-02AS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DPG60IM300PC IXYS

功能相似

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 60A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS
SBR20A200CTB DIODES

功能相似

 Super Barrier Rectifier
STTH3002CG STMICROELECTRONICS

功能相似

 HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE

与DSEC29-02AS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEC29-04AC THINKISEMI

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