型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DRV425RTJR | TI |
获取价格 |
用于开环应用的全集成式磁通门磁传感器 | RTJ | 20 | -40 to 125 | |
DRV425RTJT | TI |
获取价格 |
用于开环应用的全集成式磁通门磁传感器 | RTJ | 20 | -40 to 125 | |
DRV5011 | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | |
DRV5011ADDBZR | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | | |
DRV5011ADDBZT | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | | |
DRV5011ADDMRR | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | | |
DRV5011ADDMRT | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | | |
DRV5011ADLPG | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | | |
DRV5011ADLPGM | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | | |
DRV5011ADYBHR | TI |
获取价格 |
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | |