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DRV5012AEDMRT

更新时间： 2024-11-26 11:10:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 锁存器传感器换能器
页数 文件大小 规格书
26页 1795K
描述
低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | DMR | 4 | -40 to 85

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DRV5012AEDMRT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：1.7主体宽度：1.1 mm
主体高度：0.4 mm主体长度或直径：1.4 mm
外壳：PLASTIC滞后：4 mT
JESD-609代码：e3最大磁场范围：3.3 mT
最小磁场范围：-3.3 mT安装特点：SURFACE MOUNT
最大工作电流：0.37 mA最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：5 mA
输出极性：COMPLEMENTARY输出范围：-5.0-5.0mA
输出类型：DIGITAL CURRENT封装形状/形式：RECTANGULAR
传感器/换能器类型：MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT最大供电电压：5.5 V
最小供电电压：1.65 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端接类型：SOLDER
Base Number Matches：1

DRV5012AEDMRT 数据手册

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DRV5012  
ZHCSGS0 –AUGUST 2017  
DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
行业领先的低功耗特性  
可通过引脚选择的采样率：  
DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数  
字锁存器霍尔效应传感器。  
–
–
SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz  
当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件  
会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且  
超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北  
极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和  
SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为  
2.5kHz  
•
•
•
•
•
•
V
CC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V  
高磁性灵敏度：±2mT（典型值）  
可靠磁滞：4mT（典型值）  
推挽式 CMOS 输出  
BRP 以提供可靠切换。  
通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采  
样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新  
输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况  
下监控移动变化。  
小型纤薄 X2SON 封装  
运行温度范围：–40°C 至 +85°C  
2 应用  
此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型  
X2SON 封装。  
•
•
无刷直流电机传感器  
增量旋转编码：  
器件信息(1)  
–
–
–
–
–
电机速度  
机械行程  
流体测量  
旋钮转动  
轮速  
器件型号  
DRV5012  
封装  
X2SON (4)  
封装尺寸（标称值）  
1.10mm × 1.40mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
•
•
•
•
便携式医疗设备  
电子锁、电动自行车、电动百叶窗  
流量计  
非接触式激活  
20Hz 模式下的电流消耗  
典型原理图  
3
VCC  
S
N
N
S
DRV5012  
Controller  
2.5  
2
VCC  
N
S
S
N
OUT  
GPIO  
GPIO  
SEL  
GND  
1.5  
1
Copyright © 2017, Texas Instruments Incorporated  
1.65 V  
3 V  
0.5  
5.5 V  
0
-40  
-10  
20  
50  
80  
Temperature (èC)  
D016  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLVSDD5  
 
 
 
1234567...26

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DRV5012AEDMRT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DRV5012AEDMRR TI

完全替代

 低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | DMR | 4 |

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