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DRV425RTJR

更新时间： 2024-11-10 11:11:39

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德州仪器 - TI		传感器
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39页	1614K
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用于开环应用的全集成式磁通门磁传感器 \| RTJ \| 20 \| -40 to 125

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DRV425

ZHCSE99A –OCTOBER 2015–REVISED MARCH 2016

DRV425 磁通门磁场传感器

1 特性

3 说明

•

高精度、集成磁通门传感器：

DRV425 专为单轴磁场感测需要快速切换频率的应

用，而设计，可实现电气隔离式高灵敏度精密直流和

交流磁场测量。该器件可提供独特且专有的集成磁通门

传感器 (IFG)。该传感器内置一个补偿线圈，支持

±2mT 的高精度感测范围，测量带宽最高可达 47kHz。

该传感器的低偏移、低漂移、低噪声特性与内部补偿线

圈的精确增益、低增益漂移和极低非线性度相结合，可

提供无与伦比的磁场测量精度。DRV425 输出与感测

到的场强成正比的模拟信号。

–

偏移：±8µT（最大值）

偏移漂移：±5nT/°C（典型值）

增益误差： 0.04%（典型值）

增益漂移：±7ppm/°C（典型值）

线性度：±0.1%

噪声：1.5nT/√Hz（典型值）

•

传感器范围：±2mT（最大值）

范围和增益可通过外部电阻进行调节

–

•

可选带宽：47kHz 或 32kHz

DRV425 提供了一组完整采用，包括内部差分放大

器、片上精密基准以及诊断功能，能够最大限度地减少

组件数量并削减系统级成本。

精密基准：

–

精度：2%（最大值），漂移：50ppm/°C（最大

值）

DRV425 采用带有 PowerPAD™的耐热增强型、无磁

性、超薄四方扁平无引线 (WQFN) 封装来实现优化散

热，并且在 –40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内

额定运行。

–

引脚可选电压：2.5V 或 1.65V

可选比例模式：VDD/2

•

诊断特性: 超限和错误标志

电源电压范围：3.0V 至 5.5V

器件信息 ⁽¹⁾

2 应用

部件号

DRV425

封装

WQFN (20)

封装尺寸（标称值）

•

线性位置感测

4.00mm x 4.00mm

母线电流感测

走线电流感测

通用磁场传感器

过流检测

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

电机可靠性诊断

频率和电压逆变器

太阳能逆变器

简化电路原理图

R_SHUNT

COMP1

DRV425

COMP2

DRV2

DRV1 AINP

AINN

Shunt

Sense

Amplifier

Differential

Driver

Fluxgate

Sensor

and

Integrator

Compensation

Coil

VOUT

REFIN

ADC

Fluxgate Sensor Front-End

Device Control and Diagnostic

Reference

REFOUT

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SBOS729

12 3 4 5 6 7...39

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DRV425RTJT	TI	获取价格	用于开环应用的全集成式磁通门磁传感器 \| RTJ \| 20 \| -40 to 125
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DRV5011ADDBZR	TI	获取价格	小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 \|
DRV5011ADDBZT	TI	获取价格	小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 \|
DRV5011ADDMRR	TI	获取价格	小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 \|
DRV5011ADDMRT	TI	获取价格	小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 \|
DRV5011ADLPG	TI	获取价格	小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 \|
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