型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DRV5012AEDMRR | TI |
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低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DMR | 4 | | |
DRV5012AEDMRT | TI |
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低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DMR | 4 | | |
DRV5013 | TI |
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高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | |
DRV5013ADEDBZJQ1 | TI |
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汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | |
DRV5013ADEDBZRQ1 | TI |
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汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | |
DRV5013ADEDBZTQ1 | TI |
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汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | |
DRV5013ADELPGMQ1 | TI |
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汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3 | |
DRV5013ADELPGQ1 | TI |
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汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3 | |
DRV5013ADQDBZR | TI |
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高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | - | |
DRV5013ADQDBZRQ1 | TI |
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汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 |