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DRV5011ADDBZR

更新时间： 2024-11-10 11:11:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 锁存器
页数 文件大小 规格书
34页 2283K
描述
小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 135

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DRV5011ADDBZR 数据手册

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DRV5011  
ZHCSH78B –DECEMBER 2017–REVISED JANUARY 2020  
DRV5011 低电压数字锁存器霍尔效应传感器  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
•
•
•
•
超小型 X2SON、SOT-23、DSBGA 或 TO-92 封装  
DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器，专  
为电机和其他旋转系统而设计。  
高磁性灵敏度：±2mT（典型值）  
可靠磁滞：4mT（典型值）  
快速感应带宽：30kHz  
此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电  
压架构，采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、  
DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器，无  
需使用上拉电阻器，使系统更加紧凑小巧。  
V
CC 工作范围：2.5V 至 5.5V  
推挽式 CMOS 输出  
支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流  
工作温度：-40°C 至 +135°C  
–
当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件  
会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且  
超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北  
极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和  
•
2 应用  
•
•
无刷直流电机传感器  
增量旋转编码：  
BRP 以提供可靠切换。  
–
–
–
–
–
–
刷式直流电机反馈  
电机速度（转速计）  
机械行程  
器件在 –40°C 至 +135°C 的宽环境温度范围内能够保  
持稳定一致的优异性能。  
器件信息(1)  
流体测量  
器件型号  
封装  
DSBGA (4)  
封装尺寸（标称值）  
0.80mm × 0.80mm  
2.92mm × 1.30mm  
1.10mm × 1.40mm  
4.00mm × 3.15mm  
旋钮转动  
轮速  
SOT-23 (3)  
X2SON (4)  
TO-92 (3)  
DRV5011  
•
•
电动自行车  
流量计  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。  
典型原理图  
磁响应  
VCC  
OUT  
S
N
N
S
DRV5011  
VCC  
Controller  
GPIO  
VCC  
N
S
S
N
OUT  
GND  
BHYS  
0V  
Copyright © 2017, Texas Instruments Incorporated  
B
BRP  
BOP  
north  
0 mT  
south  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLVSCY6  
 
 
 
 
1234567...34

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