5秒后页面跳转
DRV5011ADYBHT PDF预览

DRV5011ADYBHT

更新时间: 2024-09-17 11:11:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 锁存器
页数 文件大小 规格书
34页 2283K
描述
小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | YBH | 4 | -40 to 125

DRV5011ADYBHT 数据手册

 浏览型号DRV5011ADYBHT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DRV5011ADYBHT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DRV5011ADYBHT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DRV5011ADYBHT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DRV5011ADYBHT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DRV5011ADYBHT的Datasheet PDF文件第7页 
Support &  
Community  
Product  
Folder  
Order  
Now  
Tools &  
Software  
Technical  
Documents  
DRV5011  
ZHCSH78B DECEMBER 2017REVISED JANUARY 2020  
DRV5011 低电压数字锁存器霍尔效应传感器  
1 特性  
3 说明  
1
超小型 X2SONSOT-23DSBGA TO-92 封装  
DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器,专  
为电机和其他旋转系统而设计。  
高磁性灵敏度:±2mT(典型值)  
可靠磁滞:4mT(典型值)  
快速感应带宽:30kHz  
此器件具有工作电压范围为 2.5V 5.5V 的高效低电  
压架构,采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、  
DSBGA TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器,无  
需使用上拉电阻器,使系统更加紧凑小巧。  
V
CC 工作范围:2.5V 5.5V  
推挽式 CMOS 输出  
支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流  
工作温度:-40°C +135°C  
当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件  
会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且  
超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北  
极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和  
2 应用  
无刷直流电机传感器  
增量旋转编码:  
BRP 以提供可靠切换。  
刷式直流电机反馈  
电机速度(转速计)  
机械行程  
器件在 –40°C +135°C 的宽环境温度范围内能够保  
持稳定一致的优异性能。  
器件信息(1)  
流体测量  
器件型号  
封装  
DSBGA (4)  
封装尺寸(标称值)  
0.80mm × 0.80mm  
2.92mm × 1.30mm  
1.10mm × 1.40mm  
4.00mm × 3.15mm  
旋钮转动  
轮速  
SOT-23 (3)  
X2SON (4)  
TO-92 (3)  
DRV5011  
电动自行车  
流量计  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的封装选项附录。  
典型原理图  
磁响应  
VCC  
OUT  
S
N
N
S
DRV5011  
VCC  
Controller  
GPIO  
VCC  
N
S
S
N
OUT  
GND  
BHYS  
0V  
Copyright © 2017, Texas Instruments Incorporated  
B
BRP  
BOP  
north  
0 mT  
south  
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLVSCY6  
 
 
 
 

与DRV5011ADYBHT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRV5012 TI

获取价格

低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器
DRV5012AEDMRR TI

获取价格

低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DMR | 4 |
DRV5012AEDMRT TI

获取价格

低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DMR | 4 |
DRV5013 TI

获取价格

高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器
DRV5013ADEDBZJQ1 TI

获取价格

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3
DRV5013ADEDBZRQ1 TI

获取价格

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3
DRV5013ADEDBZTQ1 TI

获取价格

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3
DRV5013ADELPGMQ1 TI

获取价格

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3
DRV5013ADELPGQ1 TI

获取价格

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3
DRV5013ADQDBZR TI

获取价格

高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -