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DRA9143X0L PDF预览

DRA9143X0L

更新时间： 2024-11-11 12:54:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
4页 362K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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DRA9143X0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3-B, SC-89, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.82其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DRA9143X0L 数据手册

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DRA9143X  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Unit: mm  
Complementary to DRC9143X  
DRA5143X in SSMini3 type package  
Features  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
ꢀMarking Symbol: L6  
Packaging  
DRA9143X0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
1: Base  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
2: Emitter  
3: Collector  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
Panasonic  
SSMini3-F3-B  
JEITA  
Code  
SC-89  
–50  
V
SOT-490  
–100  
mA  
mW  
°C  
C
E
Total power dissipation  
PT  
125  
R1  
R2  
B
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
R1  
R2  
4.7  
10  
kΩ  
kΩ  
Resistance value  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
–1.0  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
30  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.5 mA  
VI(on) VCE = – 0.2 V, IC = –5 mA  
– 0.25  
–1.7  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = –5 V, IC = –100 µA  
– 0.6  
+30%  
0.57  
V
Input resistance  
R1  
–30%  
0.37  
4.7  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
0.47  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2012  
Ver. DED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRA9143Y PANASONIC

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