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DRA9A43E0L

更新时间： 2024-11-07 20:54:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	479K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE, SSMINI3-F3-B, 3 PIN

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DRA9A43E0L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.72
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DRA9A43E0L 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DRA9A43E

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Complementary to DRC9A43E

DRA5A43E in SSMini3 type package

ꢀPackage

 Features

ꢀCode

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

SSMini3-F3-B

ꢀPin Name

1: Base

2: Emitter

 Packaging

3: Collector

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

ꢀMarking Symbol: G7

ꢀInternal Connection

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

–50

Unit

R₁

–50

R₂

–80

°C

Total power dissipation

P_T

125

R₁

R₂

4.7

kΩ

Resistance value

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–50

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Input voltage (ON)

V_CBOI_C= –10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= –2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= –50 V, I_E= 0

V_CE= –50 V, I_B= 0

V_EB= –6 V, I_C= 0

– 0.1

– 0.5

–2.0

µA



V_CE= –10 V, I_C= –5 mA

V_CE(sat)I_C= –10 mA, I_B= – 0.5 mA

V_I(on)V_CE= – 0.2 V, I_C= –5 mA

– 0.25

–1.9

Input voltage (OFF)

V_I(off)V_CE= –5 V, I_C= –100 µA

– 0.8

+30%

1.2

Input resistance

R₁

–30%

0.8

4.7

1.0

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: September 2011

Ver. BED

12 3 4

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DRA9A43X0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
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