Datasheet > DRA9A43T0L

DRA9A43T0L

更新时间： 2024-09-17 19:54:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	480K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE, SSMINI3-F3-B, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DRA9A43T0L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DRA9A43T0L 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DRA9A43T

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Complementary to DRC9A43T

DRA5A43T in SSMini3 type package

 Features

ꢀPackage

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

ꢀCode

SSMini3-F3-B

ꢀPin Name

1: Base

2: Emitter

 Packaging

3: Collector

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

ꢀMarking Symbol: GF

ꢀInternal Connection

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

–50

Unit

R₁

–50

–80

°C

Resistance value

R₁

4.7

kΩ

Total power dissipation

P_T

125

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–50

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Input voltage (ON)

V_CBOI_C= –10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= –2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= –50 V, I_E= 0

V_CE= –50 V, I_B= 0

V_EB= –6 V, I_C= 0

– 0.1

– 0.5

– 0.01

460

µA



V_CE= –10 V, I_C= –5 mA

160

–1.0

V_CE(sat)I_C= –10 mA, I_B= – 0.5 mA

V_I(on)V_CE= – 0.2 V, I_C= –5 mA

– 0.25

Input voltage (OFF)

V_I(off)V_CE= –5 V, I_C= –100 µA

R₁

– 0.4

Input resistance

–30%

4.7

+30%

kΩ

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: September 2011

Ver. BED

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与DRA9A43T0L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DRA9A43X0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DRA9A43Z0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DRA9A44E	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DRA9A44W0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DRACDP15	WEIDMULLER	获取价格	DIN-Rail Receptacle
DRACDP20	WEIDMULLER	获取价格	DIN-Rail Receptacle
DRACGF15	WEIDMULLER	获取价格	DIN-Rail Receptacle
DRACGF20	WEIDMULLER	获取价格	DIN-Rail Receptacle
DRACN	CRYDOM	获取价格	DIN Rail Mount
DRA-CN024D05	CRYDOM	获取价格	6.2mm Din-Rail Mount (35 mm) SSR Assembly

与DRA9A43T0L相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

15
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

14
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

93
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

82

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DRA9A43T0L

DRA9A43T0L 技术参数

DRA9A43T0L 数据手册

与DRA9A43T0L相关器件

与DRA9A43T0L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DRA9A43T0L

DRA9A43T0L 技术参数

DRA9A43T0L 数据手册

与DRA9A43T0L相关器件

与DRA9A43T0L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？