是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | DIP, DIP50,1.2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.79 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | CONFIGURABLE AS 2048K X 8 OR 1024K X 16 BY SUITABLE EXTERNAL CONNECTION |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-XDMA-T50 |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 50 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP50,1.2 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0016 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DPZ1MS16P-25C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DPZ1MS16XP-15C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DPZ1MS16XP-20C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DPZ1MS16XP-25C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DPZ256S32IW-12C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DPZ256S32IW-15C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DPZ256S32IW-17C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DPZ256S32IW-20C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DPZ256S32IW-25C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DPZ256X16IA3-12B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |