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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | APGA, PGA50,5X10 | 针数： | 50 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.62 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-XPGA-P50 |
| 长度： | 25.146 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX16 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | APGA |
| 封装等效代码： | PGA50,5X10 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, PIGGYBACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 7.4676 mm | 最大待机电流： | 0.0004 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.065 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 13.716 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DPZ256X16IA3-12I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-12M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-15B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-15C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-15I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-15M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-17B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-17C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-17I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DPZ256X16IA3-17M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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