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DPF60C300HB

更新时间： 2024-09-16 12:53:19
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IXYS 二极管快速恢复二极管
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4页 131K
描述
HiPerFRED High Performance Fast Recovery Diode low Loss Soft Recovery Common Cathode

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DPF60C300HB 数据手册

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DPG 60 C 300 QB  
VRRM  
IFAV = 2x  
trr  
=
300 V  
HiPerFRED²  
A
30  
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Common Cathode  
=
35 ns  
Part number  
1
2
3
DPG 60 C 300 QB  
Backside: cathode  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable operation  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
● Housing: TO-3P  
●rIndustry standard outline  
●r compatible with TO-247  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
300  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
µA  
VR = 300V  
VR = 300V  
TVJ  
1
TVJ = 150°C  
TVJ 25°C  
0.1 mA  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
30A  
60A  
30A  
60A  
=
1.34  
V
V
V
V
A
V
1.63  
1.06  
1.39  
30  
T
VJ = 150°C  
IFAV  
VF0  
rF  
TC = 135°C  
TVJ = 175°C  
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
0.70  
for power loss calculation only  
slope resistance  
10.5 mΩ  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
0.95 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-55  
175  
160  
360  
°C  
W
A
TC  
=
=
=
25°C  
45°C  
25°C  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
TVJ  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
3
7
A
A
IF = 30A; VR = 200V  
-diF/dt = 200 A/µs  
TVJ = 125°C  
TVJ 25°C  
TVJ = 125°C  
TVJ 25°C  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
=
35  
55  
50  
ns  
ns  
pF  
CJ  
VR = 150 V; f = 1 MHz  
=
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20100125b  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
2010 IXYS all rights reserved  
©
1234

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与DPF60C300HB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DPF60I200HA IXYS

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, 2 PIN
DPF60I200HA LITTELFUSE

获取价格

 		HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPF60IM400HB IXYS

获取价格

 		High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode
DPF60IM400HB LITTELFUSE

获取价格

 		HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPF-7.5-100 NUVOTEM TALEMA

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