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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PSIP-T2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | HIGH VOLTAGE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.24 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T2 | 最大非重复峰值正向电流： | 340 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 2200 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DNA30E2200IY | IXYS |
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Single Diode |
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| DNA30E2200PA | IXYS |
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Single Diode |
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| DNA30E2200PA | LITTELFUSE |
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分立高电压二极管系列具有多种封装，击穿电压为2200V。 |
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| DNA30E2200PC | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 2200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, |
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| DNA30E2200PZ | IXYS |
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Single Diode |
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| DNA30E2200PZ | LITTELFUSE |
获取价格 |
分立高电压二极管系列具有多种封装，击穿电压为2200V。 |
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| DNA30E2200PZ-TRL | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, |
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| DNA30E2200PZ-TUB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
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| DNA30EM2200PC | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 2200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, |
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| DNA30EM2200PZ | IXYS |
获取价格 |
Single Diode |
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