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DNA30ER2200IY

更新时间: 2024-11-05 21:14:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 高压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 129K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 2200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, I2PAK-2

DNA30ER2200IY 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-262包装说明:TO-262, I2PAK-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.71其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.53 V
JESD-30 代码:R-PSIP-T2最大非重复峰值正向电流:340 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:210 W最大重复峰值反向电压:2200 V
最大反向电流:40 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

DNA30ER2200IY 数据手册

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DNA30ER2200IY  
VRRM  
IFAV  
VF  
=
=
=
2200V  
30A  
High Voltage Standard Rectifier  
1.24V  
Single Diode  
Part number  
DNA30ER2200IY  
Backside: anode  
3
1
TO-262 (I2Pak)  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
Planar passivated chips  
Diode for main rectification  
For single and three phase  
bridge configurations  
Industry standard outline  
RoHS compliant  
Epoxy meets UL 94V-0  
Very low leakage current  
Very low forward voltage drop  
Improved thermal behaviour  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20130123a  
© 2013 IXYS all rights reserved  

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