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DNA30EM2200PZ-TRL

更新时间： 2024-09-15 19:19:59

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IXYS		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	443K
描述
Rectifier Diode,

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DNA30EM2200PZ-TRL 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE	应用：	HIGH VOLTAGE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.53 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	340 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	210 W
参考标准：	IEC-60747	最大重复峰值反向电压：	2200 V
最大反向电流：	40 µA	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

DNA30EM2200PZ-TRL 数据手册

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DNA30EM2200PZ

V_RRM

I_FAV

V_F

2200V

30A

High Voltage Standard Rectifier

1.24V

Single Diode

Part number

DNA30EM2200PZ

Marking on Product: DNA30EM2200PZ

Backside: anode

TO-263 (D2Pak-HV)

Features / Advantages:

Applications:

Package:

● Planar passivated chips

● Diode for main rectification

● For single and three phase

bridge configurations

● Industry standard outline

● RoHS compliant

● Epoxy meets UL 94V-0

● High creepage distance

between terminals

● Very low leakage current

● Very low forward voltage drop

● Improved thermal behaviour

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Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20190212e

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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