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DNA30E2200PZ

更新时间: 2024-11-05 12:55:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 132K
描述
Single Diode

DNA30E2200PZ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:D2PAK包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:3.26其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.53 V
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:340 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:30 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:210 W
最大重复峰值反向电压:2200 V最大反向电流:40 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

DNA30E2200PZ 数据手册

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DNA30E2200PA  
VRRM  
IFAV  
VF  
=
=
=
2200V  
30A  
High Voltage Standard Rectifier  
1.24V  
Single Diode  
Part number  
DNA30E2200PA  
Backside: anode  
1
3
TO-220  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
Planar passivated chips  
Diode for main rectification  
For single and three phase  
bridge configurations  
Industry standard outline  
RoHS compliant  
Epoxy meets UL 94V-0  
Very low leakage current  
Very low forward voltage drop  
Improved thermal behaviour  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20130123c  
© 2013 IXYS all rights reserved  

DNA30E2200PZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DNA30E2200PC IXYS

完全替代

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 2200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
DNA30EM2200PC IXYS

完全替代

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 2200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,

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