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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DN0150ADJ-7
DN0150ADJ-7 PDF预览

DN0150ADJ-7

更新时间： 2024-01-03 10:46:25
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
DUAL NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DN0150ADJ-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.69Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1158211
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：SO Transistor Flat LeadSamacsys Footprint Name：SOT963
Samacsys Released Date：2018-03-30 15:02:32Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

DN0150ADJ-7 数据手册

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DN0150ADJ / DN0150BDJ  
DUAL NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
•
•
Case: SOT-963  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
Ultra Small Package  
•
•
•
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.0027 grams (approximate)  
SOT-963  
4
6
5
Q2  
Q1  
2
1
3
Top View  
Device Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
V
Collector-Emitter Voltage  
5
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current – Continuous  
Base Current  
100  
30  
mA  
mA  
IB  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
PD  
Value  
300  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
417  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
60  
50  
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.1  
0.1  
V
V
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC = 10μA, IE = 0  
IC = 1mA, IB = 0  
IE = 10μA, IC = 0  
VCB = 60V, IE = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
—
120  
200  
0.10  
—
—
0.25  
240  
400  
V
VCE(SAT)  
hFE  
IC = 100mA, IB = 10mA  
VCE = 6V, IC = 2mA  
DN0150ADJ  
DN0150BDJ  
—
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
V
CE = 10V, IE = -1mA  
Transition Frequency  
60  
—
—
—
—
MHz  
pF  
fT  
f = 30MHz  
V
f = 1MHz  
CB = 10V, IE = 0,  
Output Capactiance  
1.3  
Cob  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300µs. Duty cycle ≤2%  
1 of 4  
www.diodes.com  
April 2009  
© Diodes Incorporated  
DN0150ADJ / DN0150BDJ  
Document number: DS31484 Rev. 3 - 2  
1234

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