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DN030S

更新时间： 2024-01-03 16:15:38
品牌 Logo 应用领域
可天士 - KODENSHI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 263K
描述
Extremely low collector-to-emitter saturation voltage

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DN030S 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.3 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：70
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

DN030S 数据手册

 浏览型号DN030S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DN030S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DN030S的Datasheet PDF文件第4页 
DN030S  
NPN Silicon Transistor  
Features  
• Extremely low collector-to-emitter  
saturation voltage  
PIN Connection  
( VCE(SAT)= 0.1V Typ. @IC/IB=100mA/10mA)  
• Suitable for low voltage large current drivers  
• Complementary pair with DP030S  
• Switching Application  
3
1
2
SOT-23F  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
N01 □  
DN030S  
SOT-23F  
①
②
① Device Code ② Year&Week Code  
Absolute maximum ratings  
Characteristic  
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
15  
Unit  
Collector-Base voltage  
Collector-Emitter voltage  
Emitter-Base voltage  
Collector current  
V
V
12  
5
V
300  
mA  
mW  
°C  
Collector dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Tstg  
-55~150  
°C  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
(Ta=25°C)  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Test Condition  
Min. Typ. Max. Unit  
Collector-Base breakdown voltage  
Collector-Emitter breakdown voltage  
Emitter-Base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC=50μA, IE=0  
15  
12  
5
-
-
-
V
V
IC=1mA, IB=0  
-
IE=50μA, IC=0  
-
-
V
VCB=12V, IE=0  
-
-
0.1  
0.1  
450  
-
μA  
μA  
-
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
-
-
hFE1  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=1V, IC=300mA  
IC=100mA, IB=10mA  
IC=300mA, IB=30mA  
IC=100mA, IB=10mA  
IC=300mA, IB=30mA  
VCE=5V, IC=10mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
200  
70  
-
-
DC current gain  
hFE2  
-
-
VCE(sat1)  
VCE(sat2)  
VBE(sat1)  
VBE(sat2)  
fT  
-
-
0.2  
0.5  
1.2  
1.7  
-
V
Collector-Emitter saturation voltage  
Base-Emitter saturation voltage  
-
V
-
-
V
-
-
V
Transition frequency  
-
300  
3
MHz  
PF  
Collector output capacitance  
Cob  
-
-
KSD-T5C008-000  
1
1234

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与DN030S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DN030U AUK

获取价格

 		NPN Silicon Transistor
DN030U KODENSHI

获取价格

 		Extremely low collector-to-emitter saturation voltage
DN0408C404K VISHAY

获取价格

 		RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 400000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN050 AUK

获取价格

 		NPN Silicon Transistor
DN050 KODENSHI

获取价格

 		Extremely low collector-to-emitter saturation voltage
DN0503A152K VISHAY

获取价格

 		RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 1500 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN0503A152K-01 VISHAY

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 		RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 1500 ohm
DN0503A152K-05 VISHAY

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 		RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 1500 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN0503D151K VISHAY

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 		RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 150 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN0503D151K-04 VISHAY

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 		RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 150 ohm, THROUGH HOLE MOUNT

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