是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DFN | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 17 weeks |
风险等级: | 1.13 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 12 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.029 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N3 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.7 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DMP1555UFA | DIODES | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMP2002UPS | DIODES | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMP2002UPS-13 | DIODES | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 20V, 0.0019ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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DMP2003UPS | DIODES | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMP2003UPS-13 | DIODES | Power Field-Effect Transistor, |
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DMP2004DMK | DIODES | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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