5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.99 | Samacsys Description： | Diodes Inc DMG3415UFY4-7 P-channel MOSFET, 2.5 A, 16 V, 3-Pin DFN |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 16 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.039 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.49 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMG3415UFY4Q | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG3415UQ-7 | TYSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
|
| DMG3415UQ-7 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG3418L | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance |
|
| DMG3418L_15 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG3418L-13 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG3418L-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| DMG3420U | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG3420U | TYSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
|
| DMG3420U-7 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
