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DAP222/D

更新时间： 2024-01-31 10:39:52

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描述
Common Anode Dual Switching Diode

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DAP222/D 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.58
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
反向测试电压：	70 V	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL

DAP222/D 数据手册

ON Semiconductort

DAP222

Common Anode Silicon

Dual Switching Diode

This Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diode is

designed for use in ultra high speed switching applications. This

device is housed in the SOT–416/SC–90 package which is designed

for low power surface mount applications, where board space is at a

premium.

SOT–416/SC–90 PACKAGE

COMMON ANODE

DUAL SWITCHING DIODE

SURFACE MOUNT

• Fast t

• Low C

• Available in 8 mm Tape and Reel

CASE 463–01, STYLE 4

SOT–416/SC–90

ANODE

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Forward Current

Vdc

100

300

2.0

mAdc

Adc

Peak Forward Current

Peak Forward Surge Current

CATHODE

(1)

FSM

DEVICE MARKING

DAP222 = P9

THERMAL CHARACTERISTICS

Rating

Symbol

Max

150

Unit

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

stg

–55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)

Characteristic

Symbol

Condition

= 70 V

Min

—

Max

0.1

1.2

—

Unit

µAdc

Vdc

Reverse Voltage Leakage Current

Forward Voltage

I = 100 mA

—

Reverse Breakdown Voltage

Diode Capacitance

= 100 µA

—

= 6.0 V, f = 1.0 MHz

3.5

4.0

Reverse Recovery Time

1. t = 1 µS

t (2)

I = 5.0 mA, V = 6.0 V, R = 100 Ω, I = 0.1 I

—

2. t Test Circuit on following page.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

March, 2001 – Rev. 2

DAP222/D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DAP222_11	ROHM	获取价格	Switching Diode
DAP222G	ONSEMI	获取价格	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
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DAP222M	DIODES	获取价格	Ultra high speed switching
DAP222M	ROHM	获取价格	Switching diode
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DAP222M_11	ROHM	获取价格	Switching Diode
DAP222M3T5G	ONSEMI	获取价格	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
DAP222MT2L	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, VMD3, 3 PIN