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DAP222M3T5G

更新时间： 2024-09-24 09:59:47

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安森美 - ONSEMI		二极管开关
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描述
Common Anode Silicon Dual Switching Diodes

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DAP222M3T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.57	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	3.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.26 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

DAP222M3T5G 数据手册

DAP222M3T5G

Preferred Device

Product Preview

Common Anode Silicon

Dual Switching Diodes

These Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are

designed for use in ultra high speed switching applications. The

DAP222 device is housed in the SOT−723 package which is designed

for low power surface mount applications, where board space is at a

premium.

http://onsemi.com

• Fast t

• Low C

ANODE

• ESD Performance: Human Body Model; u 2000 V,

Machine Model u 200 V

• Available in 4 mm Tape and Reel

• This is a Pb−Free Device

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

CATHODE

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

MARKING

DIAGRAM

Peak Reverse Voltage

Forward Current

SOT−723

CASE 631AA

STYLE 4

100

300

2.0

P9 M

Peak Forward Current

Peak Forward Surge Current

FSM

(Note 1)

= Specific Device Code

= Date Code

THERMAL CHARACTERISTICS

Rating

Power Dissipation

Symbol

Max

260

Unit

°C

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

Junction Temperature

Storage Temperature

150

DAP222M3T5G

SOT−723

8000/Tape & Reel

stg

−55 ~ +150

°C

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

1. t = 1.0 mS.

This document contains information on a product under development. ON Semiconductor

reserves the right to change or discontinue this product without notice.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

March, 2005 − Rev. 1

DAP222M3/D

12 3 4

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与DAP222M3T5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DAP222MT2L	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, VMD3, 3 PIN
DAP222T1	ONSEMI	获取价格	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
DAP222-T1	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
DAP222T1G	ONSEMI	获取价格	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
DAP222-T1-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
DAP222TL	ROHM	获取价格	Switching Diode
DAP222WM	ROHM	获取价格	Switching Diode
DAP222ZM	ROHM	获取价格	DAP222ZM是小型模塑型封装的开关二极管，适合高速开关用途。
DAP236K	ROHM	获取价格	Mixer Diode, Silicon, SC-59, 3 PIN
DAP236KT146	ROHM	获取价格	Mixer Diode, Silicon, SMD3, SC-59, 3 PIN

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