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DAP222WM

更新时间： 2024-09-24 09:59:47

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罗姆 - ROHM		二极管开关
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Switching Diode

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DAP222WM 数据手册

Data Sheet

Switching Diode

DAP222WM

lApplications

lDimensions (Unit : mm)

ꢀꢀlLand size figure (Unit : mm)

High frequency switching

1.0

0.5

lFeatures

0.7

1)Ultra small mold type. (EMD3F)

2)High reliability

0.6

EMD3

lConstruction

Silicon epitaxial planer

lStructure

ROHM : EMD3F

dot (year week factory)

lTaping dimensions (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

300

Forward voltage(repetitive peak)

Average rectified forward current

Surge current(t=1s)

I_FM

100

I_surge

Power dissipation

150

C

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

lElectrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.2

0.1

3.5

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=100mA

V_R=70V

Reverse current

μA

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , I_F=5mA , R_L=50Ω

trr

www.rohm.com

2011.12 - Rev.A

1/3

12 3 4

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