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DAP222_11

更新时间： 2024-09-24 09:59:47

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罗姆 - ROHM		二极管开关
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3页	992K
描述
Switching Diode

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DAP222_11 数据手册

Data Sheet

Switching Diode

DAP222

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Ultra high speed switching

1.0

0.5

1.6±0.2

0.3±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

0.15±0.05

(3)

Features

0.7

1) Ultra small mold type. (EMD3)

2) High reliability.

0～0.1

0.6

EMD3

0.6

(1)

(2)

0.2±0.1

ꢀꢀ-0.05

0.55±0.1

0.7±0.1

0.5

1.0±0.1

0.5

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

ROHM : EMD3

JEDEC : SOT-416

JEITA : SC-75A

dot (year week factory)

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.55±00..1

φ1.5

2.0±0.05

0.3±0.1

4.0±0.1

0

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ0.5±0.1

0.9±0.2

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

300

I_FM

Forward current (single)

Average rectified forward voltage (single)

Surge current （t=1us）

100

I_surge

Power dissipation

150

°C

Junction temperature

150

Storage temperature

55 to 150

Tstg

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.2

0.1

3.5

Unit

Forward voltage

V_F

I_R

I_F=100mA

Reverse current

μA

V_R=70V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

trr

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , IF=5mA , RL=50Ω

www.rohm.com

1/2

2011.06 - Rev.B

12 3

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