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DAP222M

更新时间: 2024-09-23 23:14:39
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罗姆 - ROHM 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 174K
描述
Switching diode

DAP222M 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.81其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:80 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10

DAP222M 数据手册

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DAP222M  
Diodes  
Switching diode  
DAP222M  
zApplication  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Ultra high speed switching  
0.8  
1.2±0.1  
0.13±0.05  
0.32±0.05  
0.5  
0.4  
(3)  
zFeatures  
1) Ultra small mold type. (VMD3)  
2) High reliability.  
0~0.1  
0.4  
(1)  
0.4  
(2)  
0.22±0.05  
0.4  
VMD3  
0.22±0.05  
0.5±0.05  
zStructure  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : VMD3  
dot (year week factory)  
zTaping specifications (Unit : mm)  
0.3±0.1  
2.0±0.04  
4.0±0.07  
φ1.55±0.05  
φ0.5±0.05  
0.6±0.05  
(4.0±0.1)  
2.0±0.05  
1.3±0.05  
ꢀꢀꢀ 0  
0
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
80  
80  
V
Forward current (Single  
Average rectified forward current (Single)  
Surge current t=1us)  
IFM  
300  
100  
4
mA  
mA  
A
Io  
Isurge  
Pd  
Power dissipation  
Junction temperature  
150  
150  
mW  
Tj  
Storage temperature  
-55 to +150  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.2  
0.1  
3.5  
4
Unit  
Conditions  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF=100mA  
VR=70V  
-
-
-
-
-
-
-
-
V
Reverse current  
µA  
pF  
ns  
Capacitance between terminal  
Reverse recovery time  
VR=6V , f=1MHz  
Ct  
trr  
VR=6V , IF=5mA , RL=50Ω  
Rev.B  
1/2  

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