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D882B

更新时间： 2024-10-04 14:48:47

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Transistor

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D882B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	极性/信道类型：	NPN
子类别：	Other Transistors	Base Number Matches：	1

D882B 数据手册

D882B

D882B Silicon NPN Epitaxial Transistor

Description :The D882B is designed for use in output stage of 1w audio amplifier,

voltage regulator, DC-DC converter and relay driver.

Features: ●Excellent h_FELinearity

●Complementary to B772B

Chip Appearance

Chip Size

1100um×1100um

Chip Thickness

210±20um

Base

240um×240um

Bonding Pad Size

Emitter 330um×260um

Front Metal

Backside Metal

Scribe line width

Wafer Size

Au（As）/TiNiAg

60um

6 inch

Electrical Characteristics( Ta=25℃)

Symbol

Test Condition

Min

Max

Unit

Characteristic

Collector Cutoff Current

I_CBO

I_EBO

V_CB=35V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

0.1

Emitter Cutoff Current

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

BV_CBOI_C=0.1mA

BV_CEOI_C=1mA

BV_EBOI_E=0.1mA

5.0

100

h_FE

V_CE=2V, I_C=1A

I_C=2A, I_B=200mA

400

0.5

Collector Saturation Voltage

V_CE

(sat)

May.2004

Version :0.0

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