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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-126, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D882-O | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
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| D882O(SOT-89) | CJ |
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Transistor, |
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| D882O(SOT-89-3L) | CJ |
获取价格 |
Transistor, |
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| D882O(TO-251) | CJ |
获取价格 |
Transistor, |
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| D882O-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| D882R | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| D882R | CJ |
获取价格 |
Transistor, |
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| D882R | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
30V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| D882-R | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
|
| D882R(SOT-89-3L) | CJ |
获取价格 |
Transistor, |
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