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D882-R

更新时间： 2024-09-25 01:09:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 482K
描述
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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D882-R 数据手册

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M C C  
R
D882-R  
D882-O  
D882-Y  
D882-GR  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Lead Free Finish/RoHS Compliant("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL94V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
Maximum Ratings @ 25OC Unless Otherwise Specified  
DPAK  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Rating  
Unit  
V
V
V
A
J
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
40  
6
H
1
2
3
C
I
Collector Current-Continuous  
3
O
PC  
TJ  
Collector Dissipation  
Operating Junction Temperature  
1.25  
150  
W
R
F
4
E
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
M
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
V
K
V(BR)CEO  
30  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=40Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, IB=0)  
40  
6
---  
---  
---  
---  
Vdc  
---  
---  
1
G
Vdc  
---  
---  
µAdc  
µAdc  
Q
ICEO  
10  
IEBO  
hFE  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=6Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
A
---  
---  
1
µAdc  
60  
400  
L
D
(IC=1Adc, VCE=2Vdc)  
B
PIN 1. BASE  
PIN 2.4 COLLECTOR  
PIN 3. EMITTER  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
---  
---  
90  
---  
---  
0.5  
1.5  
Vdc  
Vdc  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
DIMENSIONS  
INCHES  
MAX  
MM  
Transition frequency  
(VCE=5Vdc, f=10MHz, IC=0.1A)  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MIN  
MAX  
2.40  
0.13  
0.86  
0.58  
6.70  
5.46  
NOTE  
ft  
MHz  
0.087  
0.000  
0.026  
0.018  
0.256  
0.201  
0.094  
0.005  
0.034  
0.023  
0.264  
0.215  
2.20  
0.00  
0.66  
0.46  
6.50  
5.10  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
F
G
H
I
J
K
L
0.190  
0.114  
4.83  
2.90  
Rank  
Range  
R
O
Y
GR  
200-400  
0.236  
0.086  
0.386  
0.244  
0.094  
0.409  
6.00  
2.18  
9.80  
6.20  
2.39  
10.40  
60-120  
100-200  
160-320  
0.055  
0.067  
1.40  
1.70  
M
0.063  
1.60  
1.10  
0.00  
5.35  
O
0.043  
0.051  
1.30  
Q
V
0.000  
0.012  
0.30  
0.211  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2017/01/20  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D882R(SOT-89-3L) CJ

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